Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Kobeleva S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Anfimov I. М. 
On the Applicability of HF and m-PCD Methods for Determination of Carrier Recombination Lifetime in the Non-passivated Single-crystal Silicon Samples [Електронний ресурс] / I. М. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Schemerov, M. N. Orlova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03018-1-03018-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_20
Comparison of the results of measuring the carrier recombination lifetime in silicon single crystals by contactless HF and microwave <$Emu>-PCD methods was carried out. It has been shown that HF method gives a large error compared with a <$Emu>-PCD method.
Попередній перегляд:   Завантажити - 279.794 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Kobeleva S. P. 
Some Aspects of Phosphorus Diffusion in Germanium in In0,01Ga0,99As / In0,56Ga0,44P / Ge Heterostructures [Електронний ресурс] / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, S. Y. Yurchuk, A. V. Turutin // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04021-1-04021-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__23
The results of experimental and theoretical researches of phosphorus distribution in the first cascade of a multi cascade solar cell based on nanoscale structures AIIIBV/Ge are presented. Secondary ion mass spectroscopy has been applied to obtain profiles of phosphorus and gallium in In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructure. In the germanium surface there is a thin layer of about 26 nm, in which the gallium concentration exceeds the concentration of phosphorus. Therefore a nanoscale p-n junction forms that does not have a significant impact on the solar cells performance at room temperature. Phosphorus diffusion is much slower in this area than in area with electronic conductivity. The main p-n junction is formed at a distance of 130 - 150 nm from the surface of the germanium. Diffusivity of gallium (DGa = 1,4 x 10-15 cm2/s) is markedly higher than described in a literature. Diffusivity of P increase from DP = 3 x 10-15 cm2/s on the boundary of the heterostructure In0,49Ga0,51P to DP = 5,2 x 10-14 cm2/s in n-type Ge.
Попередній перегляд:   Завантажити - 324.003 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського